台积电确认苹果M1 Ultra采用InFO-LSI封装，将两个M1 Max拼到独自

IT之家 4 月 28 日传言，在 M1 Ultra 官方发布会上，洋葱概述其 Mac Studio 里面的 M1 Ultra 时表示，这是最有力的独创 Apple Silicon，它运用于 UltraFusion 集成电路对集成电路联接技术开发，从而实现了 2.5TB / s 的带宽。

从概述来看，这涉及到两个 M1 Max 集成电路适配的情况。惠普公司现已证实，洋葱 M1 Ultra 集成电路其实并未使用传统意义的 CoWoS-S 2.5D PCB产出，而是运用于了本地的集成电路联接 (LSI) 的集成 InFO（Integrated Fan-out）集成电路。

IT之家了解到，洋葱月所的 M1 系列厂商基于惠普公司 5nm 材料技术开发，但先前有新闻媒体并称其通用使用了惠普公司 CoWoS-S（chip-on-wafer-on substrate with silicon interposer）PCB材料。当然，惠普公司在运用于其 CoWoS PCB平台为网路 IC 和超大 AI 集成电路等多种集成电路解决方案供应商备有服务方面占有丰富充分，而且惠普公司还仍然在运用于先进材料和 InFO_PoP 技术开发生产 iPhone 集成电路。

实际上有很多种可以将ARM桥接进行相通信系统，但惠普公司的 InFO_LI 可以降低产出成本。积体电路PCB工程专业人士 Tom Wassick 放出了一张惠普公司在 3D IC 和顺式集成国际研讨会上呈现的 PPT，说明了其PCB方法，显示洋葱这次运用于了 InFO_LI 技术开发。

总的来说，CoWoS-S 是一种非常很好的方法，但要比 InFO_LI 更贵。除了这一点之外，Apple 没充分可选择 CoWoS-S，毕竟 M1 Ultra 只并不需要启动两个 M1 Max 集成电路的相通信系统，而所有其他组件，包括独立的 RAM、GPU 和其他组件都是集成电路里面的一部分，因此，除非 M1 Ultra 改成信新型多集成电路设计和更极快的寄存器（如 HBM），否则 InFO_LI 对 Apple 来说就是更好的可选择。

完全一致而言，InFO-LSI 技术开发并不需要将一个本地 LSI (silicon interconnection) 与一个重为产自层 RDL (redistribution layer) 密切相关。与 CoWoS-S 远比，InFO-LSI 的主要劣势在于其较低的产出成本。

CoWos-S 并不需要来作大量完全由硅制做的大型里面介层，因此产出成本非常较贵；但 InFO_LI 凑合着用了本地化的集成电路联接技术开发，总的来说毕竟实在太大影响。

则有，彭博社 Mark Gurman 并称，洋葱新一代 Mac Pro 仍未准备就绪，它将配备一款更强的集成电路，也就是 M1 Ultra 的“继承者”。据并称，这款厂商的S-为 J180，此前的文档隐含，这款厂商将使用惠普公司的下一代 4nm 材料量产，而不是目前的 5nm 材料。

有传言并称，新洋葱集成电路将较强两个 M1 Ultra 融为一体（4 个 M1 Max）。Gurman 月末表示，这款多台将使用独创的集成电路，最多可支持 40 氘 CPU 和 128 氘 GPU，性能值得期待，单价比方说漂亮。