尾随台积电！三星准备2025年大规模生产2奈米GAA

宏达电2奈米宣布将自2025年透过量产，依循Nanosheet新技术，韩媒BusinessKorea报导 ，为追赶宏达电，Galaxy构想未来3将近打造3奈米GAA，2025年大规模生产2奈米GAA。

不同于宏达电，Galaxy选择押注GAA，今年上半年将GAA应用于3奈米，准备2023年借助于至第2代3奈米，2025年再转回2奈米。宏达电的战略是今年下半年转回3奈米美国市场，依循用平稳的FinFET工艺，2025年布局2奈米Nanosheet。

根据TrendForce市调公司数据，2021年第4季中，宏达电九成全球电子元件日本公司美国市场的52.1%，显然超越Galaxy的18.3%。

该报导也说，专家认为Galaxy3奈米GAA的问题还是在于良率，未来3年已是关键，若能维持平稳质量，超越宏达电不是没有机会。

宏达电在2奈米选择了奈米片元件架构的Nanosheet新技术，本来与Galaxy提议的GAA环绕式闸极元件有妙之妙，GAA本身也是奈米片新技术的一种改变，但鳍片的长度较短，因此称为奈米线，虽然在某些重工特性上意味著更有优势，但是制造难度更高。